瑞薩電子以新一代功率半導體點亮800V直流AI數據中心未來
來源：http://www.dkfv.cn 作者：金洛鑫電子 2025年10月29
瑞薩電子以新一代功率半導體點亮800V直流AI數據中心未來
在當今數字化浪潮中,AI數據中心作為人工智能發展的基石,正以驚人的速度擴張.從OpenAI的GPT系列到谷歌的BERT,這些強大的AI模型的訓練和運行都依賴于數據中心強大的計算能力.然而,隨著AI技術的飛速發展,數據中心的能耗問題也日益凸顯.據國際能源署(IEA)預測,到2030年,全球數據中心的電力需求將增長一倍以上,達到約945太瓦時(TWh),略高于日本目前的總用電量,而人工智能應用將是這一增長的最重要驅動力.這一數據無疑給全球能源供應帶來了巨大壓力.傳統的數據中心電力架構在應對如此迅猛的能耗增長時,逐漸顯得力不從心.這些架構大多采用低壓交流(AC)系統,在電力傳輸和轉換過程中存在大量的能量損耗.例如,傳統架構需要多次進行AC/DC,DC/DC轉換,每級損耗1-3%,整體能效往往只有85%左右.而且,隨著服務器應用晶振整機功率的快速提升,傳統架構的弊端愈發明顯.為了滿足不斷增長的算力需求,數據中心不得不安裝更多的服務器和設備,這不僅增加了空間占用,還使得電力供應和散熱問題變得更加棘手.在這樣的背景下,800V直流架構應運而生,為數據中心的電力困境帶來了變革曙光.800V直流架構通過將電網的交流電源直接轉換為800V的直流電,大幅減少了能量在傳輸過程中的損耗.這種架構的出現,打破了傳統架構在功率傳輸上的瓶頸,為數據中心帶來了效率的提升與成本的降低,被視為數據中心電力架構變革的關鍵一步.它不僅能有效提升電力傳輸效率,還能降低建設和運營成本,為AI數據中心的可持續發展提供了有力支持.
800V直流架構:突破傳統,開啟新時代
800V直流架構作為數據中心電力架構的重大創新,與傳統架構相比,在多個關鍵維度上展現出了無可比擬的優勢,正引領數據中心邁入一個全新的發展時代.在提升效率方面,800V直流架構大幅簡化了電力傳輸鏈路.傳統架構需要多次進行AC/DC,DC/DC轉換,每級轉換都會產生1-3%的能量損耗,導致整體能效往往只有85%左右.而800V直流架構將電網的13.8-35kV中壓配電通過高壓整流直接變為800V直流電,再通過母線分配至機架內部,減少了中間轉換環節,系統能效可提升10%-13%.以一個功率為10MW的數據中心為例,采用800V直流架構每年可節省約100萬度電,這不僅降低了運營成本,還減少了碳排放,對環境更加友好.成本降低也是800V直流架構的一大顯著優勢.從硬件成本來看,由于800V直流架構能夠在相同的銅線纜下傳輸超過150%的功率,使得以往單個機架供電所需的200公斤銅母線可以大幅減少,從而為客戶節省數百萬美元的成本.在1MW的機架中,傳統54V直流架構需要200kg銅母線,而800V直流架構可減少45%的銅用量.此外,800V直流架構減少了帶風扇的電源單元(PSU)數量,降低了散熱需求,冷卻成本可降低30%,同時PSU故障率減少使維護成本降低70%.長期來看,這些成本的降低將為數據中心運營商帶來巨大的經濟效益.空間利用的優化也是800V直流架構的重要優勢之一.隨著AI服務器功率密度的不斷提升,對數據中心空間的利用效率提出了更高要求.800V直流架構減少了電源設備的體積和數量,為機架釋放出更多空間,可容納更多的GPU等計算單元.例如,英偉達展示的Kyber樣機中,單柜NVL576系統內含72個算力托盤,每托盤僅0.5U高,卻能提供12kW以上功率,比上一代NVL72系統提升50%功率密度,空間利用率提升4倍.這使得數據中心在有限的空間內能夠部署更多的計算資源,提升了整體的計算能力.
瑞薩電子:半導體領域的創新先鋒
在全球半導體產業的璀璨星空中,瑞薩電子(RenesasElectronics)無疑是一顆耀眼的明星.自2002年由日立制作所和三菱電機的半導體部門合并而成后,瑞薩電子不斷發展壯大,2010年整合NEC電子更是使其技術底蘊與市場競爭力得到進一步強化,迅速躋身全球最大的微控制器供應商之列,尤其在汽車芯片領域占據領先地位.
瑞薩電子在功率半導體研發方面擁有深厚的技術積累和豐富的經驗,其產品廣泛應用于汽車,工業,物聯網等多個關鍵領域.在汽車領域,全球每輛汽車平均搭載超過100個瑞薩的芯片,從自動駕駛所需的系統芯片(SoC)到汽車動力系統中的功率器件,瑞薩的產品憑借出色的安全性,可靠性和能效表現,備受汽車制造商的青睞.在工業自動化領域,瑞薩的功率半導體能夠為各種工業設備提供高效,穩定的電力支持,助力工業生產的智能化升級.在物聯網領域,瑞薩的低功耗功率半導體解決方案,為眾多智能設備的長時間運行提供了保障,推動了物聯網技術的廣泛應用.多年來,瑞薩電子憑借其在功率半導體領域的卓越創新能力,推出了一系列具有里程碑意義的產品.例如,其推出的用于電動汽車驅動電機系統的"8合1"概念驗證(PoC)方案,通過整合多項功能,能夠以單個微控制器控制八項功能,為電動汽車驅動電機提供了高階集成,顯著提升了電動汽車的性能和效率.此外,瑞薩還推出了適用于有線基礎設施,數據中心和工業應用晶振的全新超低25fs-rms時鐘解決方案FemtoClock™3,該時鐘能夠為下一代高速互連系統實現高性能,簡單易用和高性價比的時鐘樹設計,滿足了數據中心等領域對高精度時鐘的嚴格要求.這些創新產品的推出,不僅展示了瑞薩電子在功率半導體領域的技術實力,也為其在全球半導體市場贏得了良好的口碑和廣泛的市場份額.
瑞薩下一代功率半導體:技術革新與優勢解析
(一)核心技術亮點
瑞薩電子推出的新一代功率半導體,堪稱凝聚前沿科技的結晶,在技術層面實現了重大突破.其核心技術之一便是先進的GaNFET開關技術,這一技術成為提升半導體性能的關鍵驅動力.GaN(氮化鎵)作為第三代寬帶隙半導體材料,具備出色的電子遷移率和擊穿電場強度.瑞薩的GaNFET開關技術充分發揮了GaN材料的優勢,實現了更快的開關速度.相較于傳統的硅基功率器件,GaNFET的開關速度可提升數倍甚至數十倍.在數據中心的高頻開關電源應用中,快速的開關速度能夠使功率半導體在單位時間內完成更多次的開關動作,從而更高效地實現電能的轉換和分配.瑞薩還通過創新的設計,將GaNFET與硅基兼容柵極驅動輸入相結合.這種巧妙的結合,不僅顯著降低了開關功率損耗,還保留了硅基FET操作簡便的特性.以瑞薩推出的三款新型高壓650VGaNFET——TP65H030G4PRS,TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS為例,它們基于穩健可靠的SuperGaN®平臺打造,采用經實際應用驗證的耗盡型(d-mode)常關斷架構.這種架構通過在柵極下方引入p-GaN層形成內置負偏壓,實現0V關斷和正壓導通,有效避免了傳統增強型(e-mode)GaN產品在高功率應用中存在的諸如vGs門柵電壓較低,動態電阻問題,無法使用常規工業類封裝以及反向導通電壓降較大等缺點.新型GenIVPlus產品比上一代GenIV平臺的裸片小14%,實現了30毫歐(mΩ)的更低導通電阻(RDS(on)),較前代產品降低14%,并且在導通電阻與輸出電容乘積這一性能指標(FOM)上提升20%,進一步提升了產品的性能和效率.
(二)性能優勢展現
在轉換效率方面,瑞薩的功率半導體基于LLC直流變壓器(LLCDCX)拓撲結構,可實現高達98%的轉換效率.在數據中心的電力轉換過程中,傳統的功率半導體由于存在較大的能量損耗,轉換效率往往只能達到85%-90%左右.而瑞薩的產品憑借其先進的技術,能夠將輸入電能高效地轉換為所需的輸出電能,大大減少了能量在轉換過程中的浪費.這意味著數據中心在運行過程中可以消耗更少的電力,降低了運營成本,同時也減少了碳排放,對環境更加友好.高功率密度也是瑞薩功率半導體的一大顯著優勢.由于GaN材料的特性以及瑞薩獨特的設計,其功率半導體能夠在更小的體積內實現更高的功率輸出.在數據中心空間有限的情況下,高功率密度的功率半導體可以為服務器等設備節省更多的空間,使得數據中心能夠在有限的空間內部署更多的計算資源,提升了整體的計算能力.與傳統的硅基功率半導體相比,瑞薩的GaNFET功率密度可提升數倍,為數據中心的高密度計算提供了有力支持.出色的熱管理性能也是瑞薩功率半導體的突出特點.在高功率運行狀態下,功率半導體會產生大量的熱量,如果不能及時有效地散熱,將會影響其性能和可靠性.瑞薩的功率半導體通過優化的散熱設計,如采用底部散熱路徑(TOLL)和頂部散熱路徑(TOLT)的高精度表面貼裝封裝,能夠有效地將熱量散發出去,降低器件的工作溫度.實驗數據表明,采用這些散熱設計的瑞薩功率半導體,其工作溫度可比傳統封裝的產品降低10-15℃,從而保證了功率半導體在長時間高負荷運行下的穩定性和可靠性.
(三)適配800V架構的獨特設計
瑞薩半導體在支持800V直流架構方面進行了一系列針對性設計.在拓撲結構上,采用了適合800V高壓環境的設計方案.例如,在AC/DC前端,瑞薩創新地采用雙向GaN開關.這種設計不僅簡化了整流器的設計,減少了元件數量,還提升了功率密度.傳統的AC/DC轉換電路通常需要使用多個二極管和開關器件,而瑞薩的雙向GaN開關技術可以通過單個器件實現雙向導通,大大簡化了電路結構,提高了轉換效率.在組件搭配方面,瑞薩充分考慮了800V直流架構的需求,將其REXFETMOSFET,驅動器及控制器進行了優化組合.這些組件之間相互配合,為新型DC/DC轉換器提供了穩定可靠的支持.REXFETMOSFET具有低導通電阻和高開關速度的特點,能夠在800V的高壓下高效地工作;驅動器能夠精確地控制功率半導體的開關動作,確保其穩定運行;控制器則負責對整個電源系統進行智能管理,實現對功率,電壓,電流等參數的精確調節.通過這種優化的組件搭配,瑞薩的功率半導體能夠更好地適應800V直流架構的要求,為數據中心提供高效,穩定的電力供應.
實際應用案例與成果
瑞薩半導體在800V直流AI數據中心架構中的實際應用案例,充分彰顯了其卓越的技術實力和顯著的應用價值.以英偉達(NVIDIA)的數據中心為例,隨著AI技術的飛速發展,其數據中心面臨著巨大的電力挑戰.AI服務器中GPU的算力不斷提升,使得功率需求大幅增加,傳統的電力架構難以滿足其高效,穩定運行的要求.在英偉達的數據中心采用瑞薩基于GaN的功率半導體解決方案后,取得了令人矚目的成效.首先,電力轉換效率得到了顯著提升.數據顯示,在采用瑞薩的方案前,該數據中心的電力轉換效率約為88%,而采用后,基于LLC直流變壓器(LLCDCX)拓撲結構的轉換器實現了高達98%的轉換效率,這意味著每年可節省大量的電力成本.以一個功率為50MW的數據中心為例,每年可節省約500萬度電,按照每度電0.6元計算,每年可節省電費300萬元.在功率密度方面,瑞薩的功率半導體也展現出了強大的優勢.英偉達的數據中心在采用瑞薩的產品后,服務器的功率密度得到了大幅提升.原本一個機架只能容納一定數量的GPU,而現在通過采用瑞薩高功率密度的功率半導體,相同機架空間內可容納的GPU數量增加了30%,這使得數據中心在不增加過多空間和成本的情況下,大幅提升了計算能力,能夠更好地滿足AI訓練和推理對算力的需求.瑞薩半導體的出色熱管理性能也為英偉達的數據中心帶來了諸多好處.在高功率運行狀態下,服務器中的功率半導體會產生大量熱量,若不能有效散熱,將嚴重影響設備的性能和壽命.瑞薩采用底部散熱路徑(TOLL)和頂部散熱路徑(TOLT)的表面貼裝封裝,有效降低了功率半導體的工作溫度.據實際測試,采用瑞薩產品后,數據中心服務器的功率半導體工作溫度平均降低了12℃,這不僅提高了設備的穩定性和可靠性,還延長了設備的使用壽命,減少了設備的維護和更換成本.
行業影響與未來展望
瑞薩電子采用下一代功率半導體為800V直流AI數據中心架構賦能的舉措,猶如一顆投入平靜湖面的巨石,在AI數據恢復應用晶振中心行業激起層層漣漪,產生了深遠而廣泛的影響.從短期來看,這一舉措為數據中心行業提供了切實可行的高效電源解決方案,有力地推動了800V直流架構在AI數據中心的快速應用和普及.隨著越來越多的數據中心運營商認識到800V直流架構的優勢以及瑞薩功率半導體的卓越性能,他們將更有信心和動力對現有數據中心進行升級改造,或在新建數據中心時采用這一先進架構.這不僅有助于解決當前AI數據中心面臨的電力瓶頸問題,提高數據中心的運行效率和可靠性,還將帶動相關產業鏈上下游企業的協同發展,促進市場對800V直流架構相關設備和技術的需求增長.從長期來看,瑞薩的這一創新為AI數據中心行業的可持續發展奠定了堅實基礎.隨著AI技術的不斷進步和應用場景的日益拓展,對中心的計算能力和能源效率提出了更高的要求.瑞薩的下一代功率半導體憑借其出色的性能和技術優勢,能夠更好地滿足未來AI數據中心在功率密度,轉換效率和熱管理等方面的嚴格需求,為AI技術的持續突破和創新提供強大的電力支持.這將進一步推動AI產業的發展,加速人工智能在各個領域的深度融合和應用,如醫療,金融,交通,教育等,為社會經濟的發展帶來新的增長點和機遇.
展望未來,瑞薩電子有望在這一領域持續深耕,不斷推出更多創新產品和解決方案.隨著技術的不斷成熟和市場需求的進一步釋放,瑞薩可能會進一步優化其功率半導體的性能和成本,提高產品的競爭力和市場占有率.瑞薩還可能加強與其他行業領導者的合作,共同探索800V直流架構在AI數據中心及其他領域的更多應用可能性,推動整個行業的技術進步和創新發展.對于整個行業而言,瑞薩電子的成功實踐將激勵更多的企業加大在功率半導體和數據中心電力架構領域的研發投入,形成良好的創新競爭氛圍.未來,我們有理由期待更多先進的功率半導體技術和數據中心架構的出現,這些創新將不斷提升數據中心的性能和效率,降低能源消耗和運營成本,為全球數字化進程提供更加堅實的支撐.隨著技術的不斷演進和市場的逐漸成熟,AI數據中心行業將迎來更加繁榮和可持續的發展未來,為人類社會的進步做出更大的貢獻.
展望未來,瑞薩電子有望在這一領域持續深耕,不斷推出更多創新產品和解決方案.隨著技術的不斷成熟和市場需求的進一步釋放,瑞薩可能會進一步優化其功率半導體的性能和成本,提高產品的競爭力和市場占有率.瑞薩還可能加強與其他行業領導者的合作,共同探索800V直流架構在AI數據中心及其他領域的更多應用可能性,推動整個行業的技術進步和創新發展.對于整個行業而言,瑞薩電子的成功實踐將激勵更多的企業加大在功率半導體和數據中心電力架構領域的研發投入,形成良好的創新競爭氛圍.未來,我們有理由期待更多先進的功率半導體技術和數據中心架構的出現,這些創新將不斷提升數據中心的性能和效率,降低能源消耗和運營成本,為全球數字化進程提供更加堅實的支撐.隨著技術的不斷演進和市場的逐漸成熟,AI數據中心行業將迎來更加繁榮和可持續的發展未來,為人類社會的進步做出更大的貢獻.
瑞薩電子以新一代功率半導體點亮800V直流AI數據中心未來
| XLH736004.000000I | Renesas振蕩器 | FXO-HC73 | XO (Standard) | 4 MHz | HCMOS | 3.3V | ±25ppm |
| XLH526125.000000I | Renesas振蕩器 | FXO-HC52 | XO (Standard) | 125 MHz | HCMOS | 2.5V | ±25ppm |
| XLH736096.000000I | Renesas振蕩器 | FXO-HC73 | XO (Standard) | 96 MHz | HCMOS | 3.3V | ±25ppm |
| XLH536075.000000I | Renesas振蕩器 | FXO-HC53 | XO (Standard) | 75 MHz | HCMOS | 3.3V | ±25ppm |
| XLH536003.072000I | Renesas振蕩器 | FXO-HC53 | XO (Standard) | 3.072 MHz | HCMOS | 3.3V | ±25ppm |
| XLH736066.666000I | Renesas振蕩器 | FXO-HC73 | XO (Standard) | 66.666 MHz | HCMOS | 3.3V | ±25ppm |
| XLH736250.000000I | Renesas振蕩器 | FXO-HC73 | XO (Standard) | 250 MHz | HCMOS | 3.3V | ±25ppm |
| XLH53V010.000000I | Renesas振蕩器 | FVXO-HC53 | VCXO | 10 MHz | HCMOS | 3.3V | - |
| XUL535156.250JS6I8 | Renesas振蕩器 | XUL | XO (Standard) | 156.25 MHz | LVDS | 3.3V | ±50ppm |
| XUL535150.000000I | Renesas振蕩器 | XUL | XO (Standard) | 150 MHz | LVDS | 3.3V | ±50ppm |
| XLL736060.000000I | Renesas振蕩器 | FXO-LC73 | XO (Standard) | 60 MHz | LVDS | 3.3V | ±25ppm |
| XLP736A00.000000I | Renesas振蕩器 | FXO-PC73 | XO (Standard) | 1 GHz | LVPECL | 3.3V | ±25ppm |
| XUL536125.000JS6I | Renesas振蕩器 | XUL | XO (Standard) | 125 MHz | LVDS | 3.3V | ±25ppm |
| XLH530020.000000I | Renesas振蕩器 | FXO-HC53 | XO (Standard) | 20 MHz | HCMOS | 3.3V | ±100ppm |
| XLH736024.576000I | Renesas振蕩器 | FXO-HC73 | XO (Standard) | 24.576 MHz | HCMOS | 3.3V | ±25ppm |
| XLH730033.000000I | Renesas振蕩器 | FXO-HC73 | XO (Standard) | 33 MHz | HCMOS | 3.3V | ±100ppm |
| XLH536024.576000I | Renesas振蕩器 | FXO-HC53 | XO (Standard) | 24.576 MHz | HCMOS | 3.3V | ±25ppm |
| XLH536003.686400I | Renesas振蕩器 | FXO-HC53 | XO (Standard) | 3.6864 MHz | HCMOS | 3.3V | ±25ppm |
| XLH726100.000000I | Renesas振蕩器 | FXO-HC72 | XO (Standard) | 100 MHz | HCMOS | 2.5V | ±25ppm |
| XLH73V027.000000I | Renesas振蕩器 | FVXO-HC73 | VCXO | 27 MHz | HCMOS | 3.3V | - |
| XLL726238.000000I | Renesas振蕩器 | XLL | XO (Standard) | 238 MHz | LVDS | 2.5V | ±25ppm |
| XLL735100.000000I | Renesas振蕩器 | FXO-LC73 | XO (Standard) | 100 MHz | LVDS | 3.3V | ±50ppm |
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| XLL736050.000000I | Renesas振蕩器 | FXO-LC73 | XO (Standard) | 50 MHz | LVDS | 3.3V | ±25ppm |
| XLP726200.000000I | Renesas振蕩器 | FXO-PC72 | XO (Standard) | 200 MHz | LVPECL | 2.5V | ±25ppm |
| XLP73V153.600000I | Renesas振蕩器 | FVXO-PC73 | VCXO | 153.6 MHz | LVPECL | 3.3V | - |
| XUH536156.250JS4I | Renesas振蕩器 | XUH | XO (Standard) | 156.25 MHz | HCMOS | 3.3V | ±25ppm |
| XUP736150.000JU6I | Renesas振蕩器 | XUP | XO (Standard) | 150 MHz | LVPECL | 3.3V | ±25ppm |
| XUP736125.000JU6I | Renesas振蕩器 | XUP | XO (Standard) | 125 MHz | LVPECL | 3.3V | ±25ppm |
| XFC236156.250000I | Renesas振蕩器 | XFC | XO (Standard) | 156.25 MHz | CML | 3.3V | ±25ppm |
| XFP236625.000000I | Renesas振蕩器 | XFP | XO (Standard) | 625 MHz | LVPECL | 3.3V | ±25ppm |
| XFP236312.500000I | Renesas振蕩器 | XFP | XO (Standard) | 312.5 MHz | LVPECL | 3.3V | ±25ppm |
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| XFP536625.000000I | Renesas振蕩器 | XF | XO (Standard) | 625 MHz | LVPECL | 3.3V | ±25ppm |
| XFN516100.000000I | Renesas振蕩器 | XF | XO (Standard) | 100 MHz | HCSL | 1.8V | ±25ppm |
| XFL526125.000000I | Renesas振蕩器 | XF | XO (Standard) | 125 MHz | LVDS | 2.5V | ±25ppm |
| XTP332156.250000I | Renesas振蕩器 | XT | XO (Standard) | 156.25 MHz | LVPECL | 3.3V | ±3ppm |
| XTL312625.000000I | Renesas振蕩器 | XT | XO (Standard) | 625 MHz | LVDS | 1.8V | ±3ppm |
| XTN312100.000000I | Renesas振蕩器 | XT | XO (Standard) | 100 MHz | HCSL | 1.8V | ±3ppm |
| XLH335050.000000K | Renesas振蕩器 | XL | XO (Standard) | 50 MHz | HCMOS | 3.3V | ±50ppm |
| XLH738042.800000X | Renesas振蕩器 | FXO-HC73 | XO (Standard) | 42.8 MHz | HCMOS | 3.3V | ±20ppm |
| XLH736003.579545I | Renesas振蕩器 | FXO-HC73 | XO (Standard) | 3.579545 MHz | HCMOS | 3.3V | ±25ppm |
| XLH736045.158400I | Renesas振蕩器 | FXO-HC73 | XO (Standard) | 45.1584 MHz | HCMOS | 3.3V | ±25ppm |
| XLH536014.745600I | Renesas振蕩器 | FXO-HC53 | XO (Standard) | 14.7456 MHz | HCMOS | 3.3V | ±25ppm |
| XLH538027.120000X | Renesas振蕩器 | FXO-HC53 | XO (Standard) | 27.12 MHz | HCMOS | 3.3V | ±20ppm |
| XLH536168.960000I | Renesas振蕩器 | FXO-HC53 | XO (Standard) | 168.96 MHz | HCMOS | 3.3V | ±25ppm |
| XLL330120.000000X | Renesas振蕩器 | XL | XO (Standard) | 120 MHz | LVDS | 3.3V | ±100ppm |
| XLH73V073.728000I | Renesas振蕩器 | FVXO-HC73 | VCXO | 73.728 MHz | HCMOS | 3.3V | - |
| XLH73V074.250000I | Renesas振蕩器 | FVXO-HC73 | VCXO | 74.25 MHz | HCMOS | 3.3V | - |
| XAH335025.000000K | Renesas振蕩器 | XAH | XO (Standard) | 25 MHz | LVCMOS | 3.3V | ±50ppm |
| XAH335030.000000K | Renesas振蕩器 | XAH | XO (Standard) | 30 MHz | LVCMOS | 3.3V | ±50ppm |
| XLH336156.250JX4I | Renesas振蕩器 | XLH | XO (Standard) | 156.25 MHz | HCMOS | 3.3V | ±25ppm |
| XLH335001.024000I | Renesas振蕩器 | XL | XO (Standard) | 1.024 MHz | HCMOS | 3.3V | ±50ppm |
| XLL325040.000000I | Renesas振蕩器 | XL | XO (Standard) | 40 MHz | LVDS | 2.5V | ±50ppm |
| XLL530108.000000I | Renesas振蕩器 | XL | XO (Standard) | 108 MHz | LVDS | 3.3V | ±100ppm |
| XLL338C50.000000X | Renesas振蕩器 | XL | XO (Standard) | 1.25 GHz | LVDS | 3.3V | ±100ppm |
| XLP735125.000000I | Renesas振蕩器 | FXO-PC73 | XO (Standard) | 125 MHz | LVPECL | 3.3V | ±50ppm |
| XLP736080.000000I | Renesas振蕩器 | FXO-PC73 | XO (Standard) | 80 MHz | LVPECL | 3.3V | ±25ppm |
| XLL726156.250000I | Renesas振蕩器 | FXO-LC72 | XO (Standard) | 156.25 MHz | LVDS | 2.5V | ±25ppm |
| XLL73V148.351648I | Renesas振蕩器 | FVXO-LC73 | VCXO | 148.351648 MHz | LVDS | 3.3V | - |
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